介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
一、介質(zhì)損耗測(cè)試儀/介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀概述

GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器，測(cè)試頻率上限達(dá)到目前高的160MHz。

GDAT高頻 Q 表采用了多項(xiàng)技術(shù)：

A雙掃描技術(shù) - 測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。 B雙測(cè)試要素輸入 - 測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。 C雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。 D自動(dòng)化測(cè)量技術(shù) -對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。 E全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。 FDDS 數(shù)字直接合成的信號(hào)源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。 G計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路*化 —使測(cè)試回路 殘余電感減至zui低， Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。 
gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，無(wú)疑為高頻元器件的阻抗測(cè)量提供了*的解決方案，它給從事高頻電子設(shè)計(jì)的工程師、科研人員、高校實(shí)驗(yàn)室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測(cè)工具
，測(cè)量值更為精確，測(cè)量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點(diǎn)調(diào)諧電容值下檢測(cè)器件的品質(zhì)，無(wú)須關(guān)注量程和換算單位。 
一、概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；
 
 

主要技術(shù)特性  

搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用

電感：
 
線圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

BD916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置技術(shù)特性 

平板電容器： 極片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可選  
極片間距可調(diào)范圍：≥15mm 
2. 夾具插頭間距：25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 （1MHz） 
4．測(cè)微桿分辨率：0.001mm
 
 

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